全球芯片行业本应该按市场规律有序进行，全球各地各负其责，发挥着各自作用，这样才能够实现共赢。比如美方有先进的芯片技术，我国有全球最大的半导体市场。然而，美方为了继续掌握科技霸权，把华为、中芯国际等中企加入了实体清单，还实施一系列的芯片限制措施。于是，我国亮出三张“王牌”，开始对外展示出实力！
因为华为5G做到了全球领先，美方没有办法赶上来，就对其实施了四轮制裁，重点是限制芯片采购，尤其是让台积电停止了高端芯片代工，导致华为手机业务直线下滑。还有中芯国际，自从梁孟松博士到来后，晶圆制造技术突飞猛进，三年时间就完成了五代的技术研发，直接从28nm突破到了7nm，只待EUV光刻机就可以实现量产。本来2018年时中芯国际向ASML订购了一台EUV，但被美从中作梗，至今未到货。
其实，针对华为、中芯国际等实施芯片限制，核心问题就是光刻机，这是我们国产芯片设备最大的短板。如今，我们还做不了高端制程的芯片，主要就是因为光刻机。对此，美方非常明白，因此早就盯上了光刻机。之前是限制EUV，如今又想扩大光刻机限制，进一步限制DUV出货。于是，拉上日、荷达成了一定协议，将共同限制。EUV用于7nm以下，限制后影响还不大，但DUV用于7-45nm，我们如今最需要。
一旦DUV再被限制，确实会对我们的芯片产业发展造成不小的影响。那么，我们就只有三条路可走。第一，趁限制还未正式实施前，加速购买尽可能多的DUV光刻机。第二，加速自研国产光刻机，比如上海微电子正在攻坚的28nm浸没式DUV光刻机。第三，想法绕开光刻机，这就需要研发其他类型的芯片技术，比如量子芯片、光子芯片等。实际上这三条路我们都在走，近日我国亮出三张“王牌”，更能说明问题。
首先，哈工大突破光刻相关技术。近日，哈工大获得了我国光学学会最高奖，因为突破了高速超精密极光干涉仪，可以应用在350nm至28nm多个工艺节点的光刻机。有消息显示，上海微电子的28nm光刻机已经用上了该技术。并且据哈工大表示，该技术还可用于7nm及以下节点光刻机研发，这是更高层次光刻机的研发技术基础。另外，哈工大还突破了EUV激光光源、双工作台等技术，将为国产EUV奠定基础。
其次，首条量子芯片生产线亮相。量子芯片将是继如今的电子芯片之后最重要的发展方向之一。在电子芯片方面我们已经落后了，在新兴芯片上当然不会再重蹈覆辙。近日，国内首条量子芯片产线正式亮相，其生产的量子芯片将用于最先进的“悟空”量子计算机。“悟空”的计算速度简直超乎想象，突破了电子芯片的计算极限。更重要的是，量子芯片可以绕开光刻机，并且量子芯片产业链全部实现自主研发。
再者，中科院突破光子芯片技术。光子芯片也是未来芯片发展的重要一项，跟传统的电子芯片相比，速度更快、功耗更低，性能达到1000倍，但功耗仅为9万分之一。近日消息显示，中科院突破了3nm光子芯片晶体管技术，将助力于国内的光子芯片发展。同时，国内首个“跨尺寸、多材料”光子芯片生产线已经在北京建成并投产。并且，光子芯片可以绕开高端光刻机，国产普通光刻机就可以，其他设备也不受限。近日，上海积塔半导体发布ArFi浸没式DUV光刻机招标，日本尼康中标。还有中芯国际之前向ASML订购了DUV光刻机，并提前支付了定金，这是解决光刻机的第一路。
以上的三张“王牌”，说明我们第二、第三条路都在走，这将会彻底解决问题。当然还需要时间，毕竟产业布局都需要提前很多年。但外媒已明白，低估了中企的实力！如今，我们亮出的三张“王牌”，恐怕美日荷都没有料到，共同限制也起不了作用！