炮火声下，俄罗斯与乌克兰之间的冲突危机（以下简称俄乌危机）进一步冲击了本就脆弱的芯片半导体产业链，并让历经一年多的全球“缺芯潮”将雪上加霜。2月28日消息，据路透社近日报道，超2600亿美元市值的芯片光刻机巨头阿斯麦（ASML），正在寻找其他氖气供应来源，以防俄罗斯和乌克兰冲突导致供应中断。
与此同时，受美国宣布对俄罗斯出口制裁影响，主要芯片和IT公司宣布停止了对俄业务。
华盛顿邮报等媒体报道，由于遵守新的出口控制规定。英特尔、戴尔等都已暂停向俄罗斯交付产品。而晶圆代工龙头台积电则宣布，暂停为俄罗斯公司代工Elbrus芯片等，以及暂停向俄罗斯出口产品和所有销售业务。
因此，俄乌冲突危机已经影响到ASML的光刻机设备制造采购，而美国对俄的制裁正影响当地芯片销售。那么俄乌危机对半导体供应链将影响多大范围？
钛媒体App了解到，当前俄乌危机对全球半导体巨头们的产业链影响暂时有限，主要由于此前芯片巨头们加大囤货力度造成自身芯片未面临短缺。但部分氖气价格不断攀升，或将对中小半导体企业产生一定影响，后续事态发展尚需进一步观察。
ASML需要的氖气价格出现上涨，或推高芯片成本
俄乌局势牵动着全球半导体产业链的稳定，ASML、美光纷纷拉响警报。
当地时间上周三（2月23日），据路透社引述ASML一位发言人表示，正在寻找其他氖气供应来源，以防俄罗斯和乌克兰冲突导致供应中断。
美国DRAM存储芯片巨头美光科技（Micron Technology）随后称，乌克兰危机的升级凸显出半导体供应链的复杂性和脆弱性，一些用于芯片生产的气体就来自乌克兰。
电子特气被称为现代电子工业的血液，主要应用在半导体、液晶显示、晶硅太阳能电池、光纤等领域。其中，氖（Ne）是一种用于半导体光刻的稀有气体技术，特别是深紫外光刻技术 (DUV) 的元素。
这些稀有气体可分别应用于ArF、KrF光刻机中准分子激光光源的生产和半导体刻蚀中，主要用于8英寸晶圆250~130nm成熟制程的DUV工艺技术，但基于英特尔10nm制造工艺的CPU也依赖于氖气。
尽管惰性气体在半导体制程当中使用比重并不如其他产业，但氖、氙、氪是半导体制造业不可缺少的工艺气体，供应链的稳定性极其重要。
作为全球半导体原料气体供应大国，乌克兰是包氖、氩、氪、氙等气体的供应大国，其中氖气的供应更是全球市场主导者。
调研机构Omdia日前发布的一份报告中指出，乌克兰拥有Iceblick、Ingas和Cryoin等重要气体产品企业，占全球氖气供应量的70%以上，而氪气（Kr）和氙气（Xe）的全球供应份额则分别达到40%和30%，而ASML使用的氖气中有不到20%来自该国。
此外，俄罗斯的钯也是半导体的重要原材料，主要用在封装环节，被用于传感器和存储器的制造。俄罗斯占全球钯供应量的40%左右。
市场研究机构Techcet表示，半导体制造商对来自俄罗斯和乌克兰的C4F6（六氟丁二烯）、氖、钯等特殊原料依赖性较强，超过90%的美国半导体级氖气的供应来自乌克兰，35%的钯来自俄罗斯。
在业内人士看来，俄乌局势日益复杂可能冲击该地区惰性气体供应，虽短期内不至于造成产线中断，但气体供应量减少仍将可能造成价格上涨，半导体生产成本可能因此上涨。如后续俄乌冲突进一步升级，很有可能造成相关稀有气体的供应紧张，从而推高芯片产业链成本。
据美国贸易委员会（ITC）的数据显示，在2014年俄乌在克里米亚半岛局势紧张的时期，氖气价格一度上涨了600%。
百川盈孚价格数据则显示，国内氖气（含量99.99%）价格已从2021年10月份的400元/立方米上涨到目前超过1600元/立方米。
集邦咨询认为，俄乌地区局势日益复杂可能冲击该地区惰性气体供应，虽短期内不至于造成产线中断，但气体供应量减少仍将可能造成价格上涨，半导体生产成本可能因此上涨，对晶圆制造成本上升形成阶段性推动。
“由于美国高度依赖俄罗斯和乌克兰的钯和氖气，美国芯片生产的任何中断都可能对芯片制造产生负面影响，”一位行业专家告诉钛媒体App。
不过，野村、摩根士丹利（Morgan Stanley）和华泰证券等机构则给出了与上述相反的意见。
野村表示，大型晶片厂都会有很大的氖气存量，通常能应付3个月或更长时间的供应，许多公司也会从乌克兰以外的公司采购部分氖气。而摩根士丹利在一份最新报告也指出，对于气体化学品的安全库存量，也有进行相关评估，氖气现阶段安全库存为6个月，认为半导体供应链风险可控。
华泰证券研究团队认为，全球半导体产业链中俄乌份额很小，半导体只是原料的一个细分应用领域，俄乌的钯和氖、氩、氪和氙等原材料占比半导体成本比重较低。通过加价采购等预计可以稳定半导体制造需求，仅可能造成短期或局部波动。
此外，华泰证券指出，2014年的俄乌冲突已有产业链波动经验，而且俄乌地区半导体设计制造厂商较少，且已大量受制于美国制裁，因此基本不影响半导体的全球供需，如局势进一步升级也不太会造成全球芯片生产和供应中断。
美国制裁俄罗斯，对芯片大厂的“缺芯”影响有限
针对乌克兰局势，2月25日开始，美国出台了多项针对俄罗斯的新出口管制，称半导体、计算机、电信、信息安全设备、激光和传感器将受到新禁令的约束。受制裁的多家俄罗斯银行，旗下客户已无法使用苹果的Apple Pay及Google的Google Pay服务。
对此，英特尔、台积电、戴尔、苹果、Google等重要科技企业都已暂停与俄罗斯企业的合作，美国半导体行业协会（SIA）则在官方网站上发布消息称，它们正在评估新规则对全球半导体行业的影响。
2月27日，《俄罗斯商业咨询》（RBC）援引两位IT市场人士的消息报道称，美国CPU企业英特尔和AMD已暂停向俄罗斯出货。其中一位消息人士称，英特尔和AMD口头告诉俄罗斯客户，两家公司的产品暂时不能运往俄罗斯，而且中国合作伙伴已收到英特尔关于禁止向俄罗斯供应处理器的通知。与此同时，俄罗斯电子开发商和制造商协会（ARPE）也证实了英特尔和AMD“断供”的消息。
据俄罗斯央行透露，VTB Group、Sovcombank、Noikombank、Promsvyazbank及Otkritie等受到制裁的俄罗斯银行，旗下客户已无法使用Apple Pay及Google Pay服务。
美国半导体行业协会针对乌克兰危机发表的声明
值得一提的是，根据华盛顿邮报报道，台积电也宣布，不再制造出货给俄罗斯ASIC（专用集成电路）芯片设计小型公司Elbrus。
另据钛媒体App了解，俄罗斯主要军民两用核心CPU多数仍采用英特尔平台。因此有业内人士认为，俄罗斯半导体所需生产、制造与采购来源来自台积电与美国英特尔等企业，且多数为成熟制程，而芯片断供风险可能会影响Elbrus这些半导体领域的中小企业发展。
据中国电子报，国际半导体产业协会（SEMI）全球副总裁、中国区总裁居龙表示，来自乌克兰的原料供应问题若短期内得不到解决，俄乌危机事件有可能对部分中小公司的运营产生一定影响。主要因为供应商多会优先保证大客户的供给，如果出现供货紧张，小公司的货源就有可能得不到及时补充。
不过就现阶段来看，俄乌危机暂未对芯片大公司以及整个产业链造成巨大破坏，而且未显著反应到芯片价格上。
美光科技表示，该公司在惰性气体的采购上已多元化，氖气主要来自欧盟、美国和亚洲等各地供应商。此外，美光还保持了适当的惰性气体库存，并与主要供应商签订了多项长期供应协议。晶圆大厂联电也表示有多重来源，不会依赖单一供应商，能够找到替代货源。
三星电子和SK海力士表示，俄乌危机对他们的芯片生产没有直接影响，他们正在密切关注事态发展。“我们有足够的（原材料）库存。我们准备充分，所以没有理由担心，”SK海力士CEO李锡熙上周在一次媒体活动中表示。
英特尔向媒体表示，其多元化的全球供应链将当地潜在的断供风险降至最低，预计乌克兰局势不会对其供应链产生影响。晶圆代工公司格罗方德(Global Foundries)也表示，公司的全球化布局以及在各地建设的供应体系，将减轻乌克兰局势带来的供应风险。台积电则对外透露，公司已建立“风险应对体系”，以应对气体等原料供应风险。
SIA在声明中指出，俄罗斯并不是半导体的重要直接消费国，占全球芯片采购量的不到0.1%。因此，半导体行业拥有多元化的关键材料和气体供应商，不会存在与俄罗斯和乌克兰相关的直接供应中断风险。
而对于中国半导体产业来说，虽然电子特气拥有诸多壁垒，行业集中度相对较高，但目前中国也取得了多个品种的技术突破，部分电子特气技术已经逐渐实现国产化。
国内特种气体市场资深分析师任路则表示，虽然氖、氪、氙为半导体行业生产所必需，但是其绝对使用量并不高，作为钢铁行业的副产品，全球市场体量不是很大。“中国是全球钢铁大国，对于这些稀有气体的纯化技术已经实现了突破，生产工艺也比较成熟，不再是能够‘卡中国脖子’的技术了。”
国金证券认为，后续如果有氖气、氪气和氙气的供应风险，国内凯美特气、华特气体可供应光刻气体。凯美特气供应相关稀有气体，氖、氪、氙及混合气体等；华特气体供应光刻用的氪氖混合气、氟氖混合气等气体。如果乌克兰氖气、氪气等供应受阻，国内两大重要A股——凯美特气(002549.SZ)、华特气体（688268.SH) 有望受益，供不应求态势下公司业绩弹性可期。
不过，未来是否会向产业链下游环节传递，仍需进一步观察。
其他信息：
芯片介绍
晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用，取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得集成电路成为可能。相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件，集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片，是一个巨大的进步。集成电路的规模生产能力，可靠性，电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化集成电路代替了设计使用离散晶体管。
集成电路对于离散晶体管有两个主要优势：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm²，每mm²可以达到一百万个晶体管。
第一个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的，其中包括一个双极性晶体管，三个电阻和一个电容器。
根据一个芯片上集成的微电子器件的数量，集成电路可以分为以下几类：
· 小型集成电路（SSI英文全名为Small Scale Integration）逻辑门10个以下或晶体管100个以下。
· 中型集成电路（MSI英文全名为Medium Scale Integration）逻辑门11~100个或 晶体管101~1k个。
· 大规模集成电路（LSI英文全名为Large Scale Integration）逻辑门101~1k个或 晶体管1,001~10k个。
· 超大规模集成电路（VLSI英文全名为Very large scale integration）逻辑门1,001~10k个或晶体管10,001~100k个。
· 极大规模集成电路（ULSI英文全名为Ultra Large Scale Integration）逻辑门10,001~1M个或晶体管100,001~10M个。
· GLSI（英文全名为Giga Scale Integration）逻辑门1,000,001个以上或晶体管10,000,001个以上。
芯片集成电路的发展
最先进的集成电路是微处理器或多核处理器的核心，可以控制计算机到手机到数字微波炉的一切。虽然设计开发一个复杂集成电路的成本非常高，但是当分散到通常以百万计的产品上，每个集成电路的成本最小化。集成电路的性能很高，因为小尺寸带来短路径，使得低功率逻辑电路可以在快速开关速度应用。
这些年来，集成电路持续向更小的外型尺寸发展，使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量，可以降低成本和增加功能，见摩尔定律，集成电路中的晶体管数量，每1.5年增加一倍。总之，随着外形尺寸缩小，几乎所有的指标改善了，单位成本和开关功率消耗下降，速度提高。但是，集成纳米级别设备的IC也存在问题，主要是泄漏电流。因此，对于最终用户的速度和功率消耗增加非常明显，制造商面临使用更好几何学的尖锐挑战。这个过程和在未来几年所期望的进步，在半导体国际技术路线图中有很好的描述。
仅仅在其开发后半个世纪，集成电路变得无处不在，计算机、手机和其他数字电器成为社会结构不可缺少的一部分。这是因为，现代计算、交流、制造和交通系统，包括互联网，全都依赖于集成电路的存在。甚至很多学者认为有集成电路带来的数字革命是人类历史中最重要的事件。IC的成熟将会带来科技的大跃进，不论是在设计的技术上，或是半导体的工艺突破，两者都是息息相关。
芯片分类
集成电路的分类方法很多，依照电路属模拟或数字，可以分为：模拟集成电路、数字集成电路和混合信号集成电路（模拟和数字在一个芯片上）。
数字集成电路可以包含任何东西，在几平方毫米上有从几千到百万的逻辑门、触发器、多任务器和其他电路。这些电路的小尺寸使得与板级集成相比，有更高速度，更低功耗（参见低功耗设计）并降低了制造成本。这些数字IC，以微处理器、数字信号处理器和微控制器为代表，工作中使用二进制，处理1和0信号。
模拟集成电路有，例如传感器、电源控制电路和运放，处理模拟信号。完成放大、滤波、解调、混频的功能等。通过使用专家所设计、具有良好特性的模拟集成电路，减轻了电路设计师的重担，不需凡事再由基础的一个个晶体管处设计起。
集成电路可以把模拟和数字电路集成在一个单芯片上，以做出如模拟数字转换器和数字模拟转换器等器件。这种电路提供更小的尺寸和更低的成本，但是对于信号冲突必须小心。
芯片制造
参见：半导体器件制造和集成电路设计
从20世纪30年代开始，元素周期表中的化学元素中的半导体被研究者如贝尔实验室的威廉·肖克利（William Shockley）认为是固态真空管的最可能的原料。从氧化铜到锗，再到硅，原料在20世纪40到50年代被系统的研究。尽管元素周期表的一些III-V价化合物如砷化镓应用于特殊用途如：发光二极管、激光、太阳能电池和最高速集成电路，单晶硅成为集成电路主流的基层。创造无缺陷晶体的方法用去了数十年的时间。
半导体集成电路工艺，包括以下步骤，并重复使用：
· 光刻
· 刻蚀
· 薄膜（化学气相沉积或物理气相沉积）
· 掺杂（热扩散或离子注入）
· 化学机械平坦化CMP
使用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作基层，然后使用光刻、掺杂、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，再利用薄膜和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。因产品性能需求及成本考量，导线可分为铝工艺（以溅镀为主）和铜工艺（以电镀为主参见Damascene）。主要的工艺技术可以分为以下几大类：黄光微影、刻蚀、扩散、薄膜、平坦化制成、金属化制成。
IC由很多重叠的层组成，每层由视频技术定义，通常用不同的颜色表示。一些层标明在哪里不同的掺杂剂扩散进基层（成为扩散层），一些定义哪里额外的离子灌输（灌输层），一些定义导体（多晶硅或金属层），一些定义传导层之间的连接（过孔或接触层）。所有的组件由这些层的特定组合构成。
· 在一个自排列（CMOS）过程中，所有门层（多晶硅或金属）穿过扩散层的地方形成晶体管。
· 电阻结构，电阻结构的长宽比，结合表面电阻系数，决定电阻。
· 电容结构，由于尺寸限制，在IC上只能产生很小的电容。
· 更为少见的电感结构，可以制作芯片载电感或由回旋器模拟。
因为CMOS设备只引导电流在逻辑门之间转换，CMOS设备比双极型组件（如双极性晶体管）消耗的电流少很多。透过电路的设计，将多颗的晶体管管画在硅晶圆上，就可以画出不同作用的集成电路。
随机存取存储器是最常见类型的集成电路，所以密度最高的设备是存储器，但即使是微处理器上也有存储器。尽管结构非常复杂－几十年来芯片宽度一直减少－但集成电路的层依然比宽度薄很多。组件层的制作非常像照相过程。虽然可见光谱中的光波不能用来曝光组件层，因为他们太大了。高频光子（通常是紫外线）被用来创造每层的图案。因为每个特征都非常小，对于一个正在调试制造过程的过程工程师来说，电子显微镜是必要工具。
在使用自动测试设备（ATE）包装前，每个设备都要进行测试。测试过程称为晶圆测试或晶圆探通。晶圆被切割成矩形块，每个被称为晶片（“die”）。每个好的die被焊在“pads”上的铝线或金线，连接到封装内，pads通常在die的边上。封装之后，设备在晶圆探通中使用的相同或相似的ATE上进行终检。测试成本可以达到低成本 产品的制造成本的25%，但是对于低产出，大型和/或高成本的设备，可以忽略不计。
在2005年，一个制造厂（通常称为半导体工厂，常简称fab，指fabrication facility）建设费用要超过10亿美元，因为大部分操作是自动化的。
制造过程
芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、测试等几个环节，其中晶片制作过程尤为的复杂。
首先是芯片设计，根据设计的需求，生成的“图样”
芯片的原料晶圆
晶圆的成分是硅，硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将这些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，将其切片就是芯片制作具体所需要的晶圆。晶圆越薄，生产的成本越低，但对工艺就要求的越高。
晶圆涂膜
晶圆涂膜能抵抗氧化以及耐温能力，其材料为光阻的一种。
晶圆光刻显影、蚀刻
光刻工艺的基本流程如图1 所示。首先是在晶圆（或衬底）表面涂上一层光刻胶并烘干。烘干后的晶圆被传送到光刻机里面。光线透过一个掩模把掩模上的图形投影在晶圆表面的光刻胶上，实现曝光，激发光化学反应。对曝光后的晶圆进行第二次烘烤，即所谓的曝光后烘烤，后烘烤使得光化学反应更充分。最后，把显影液喷洒到晶圆表面的光刻胶上，对曝光图形显影。显影后，掩模上的图形就被存留在了光刻胶上。涂胶、烘烤和显影都是在匀胶显影机中完成的，曝光是在光刻机中完成的。匀胶显影机和光刻机一般都是联机作业的，晶圆通过机械手在各单元和机器之间传送。整个曝光显影系统是封闭的，晶圆不直接暴露在周围环境中，以减少环境中有害成分对光刻胶和光化学反应的影响 。
图1：现代光刻工艺的基本流程和光刻后的检测步骤
该过程使用了对紫外光敏感的化学物质，即遇紫外光则变软。通过控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解。这时可以用上第一份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，这溶解部分接着可用溶剂将其冲走。这样剩下的部分就与遮光物的形状一样了，而这效果正是我们所要的。这样就得到我们所需要的二氧化硅层。
掺加杂质
将晶圆中植入离子，生成相应的P、N类半导体。
具体工艺是是从硅片上暴露的区域开始，放入化学离子混合液中。这一工艺将改变搀杂区的导电方式，使每个晶体管可以通、断、或携带数据。简单的芯片可以只用一层，但复杂的芯片通常有很多层，这时候将该流程不断的重复，不同层可通过开启窗口联接起来。这一点类似多层PCB板的制作原理。更为复杂的芯片可能需要多个二氧化硅层，这时候通过重复光刻以及上面流程来实现，形成一个立体的结构。
晶圆测试
经过上面的几道工艺之后，晶圆上就形成了一个个格状的晶粒。通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。一般每个芯片的拥有的晶粒数量是庞大的，组织一次针测试模式是非常复杂的过程，这要求了在生产的时候尽量是同等芯片规格构造的型号的大批量的生产。数量越大相对成本就会越低，这也是为什么主流芯片器件造价低的一个因素。
封装
将制造完成晶圆固定，绑定引脚，按照需求去制作成各种不同的封装形式，这就是同种芯片内核可以有不同的封装形式的原因。比如：DIP、QFP、PLCC、QFN等等。这里主要是由用户的应用习惯、应用环境、市场形式等外围因素来决定的。
测试、包装
经过上述工艺流程以后，芯片制作就已经全部完成了，这一步骤是将芯片进行测试、剔除不良品，以及包装。
芯片型号
芯片命名方式一般都是：字母+数字+字母
前面的字母是芯片厂商或是某个芯片系列的缩写。像MC开始的多半是摩托罗拉的，MAX开始的多半是美信的。
中间的数字是功能型号。像MC7805和LM7805，从7805上可以看出它们的功能都是输出5V，只是厂家不一样。
后面的字母多半是封装信息，要看厂商提供的资料才能知道具体字母代表什么封装。
74系列是标准的TTL逻辑器件的通用名称，例如74LS00、74LS02等等，单从74来看看不出是什么公司的产品。不同公司会在74前面加前缀，例如SN74LS00等。
芯片相关拓展
一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分:
前缀（首标）-----很多可以推测是哪家公司产品。
器件名称----一般可以推断产品的功能（memory可以得知其容量）。
温度等级-----区分商业级，工业级，军级等。一般情况下，C表示民用级，Ⅰ表示工业级，E表示扩展工业级，A表示航空级，M表示军品级。
封装----指出产品的封装和管脚数有些IC型号还会有其它内容:
速率----如memory，MCU，DSP，FPGA 等产品都有速率区别，如-5，-6之类数字表示。
工艺结构----如通用数字IC有COMS和TL两种，常用字母C，T来表示。
是否环保-----一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否环保，如z，R，+等。
包装-----显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，rail，tray等。
版本号----显示该产品修改的次数，一般以M为第一版本。
芯片IC命名、封装常识与命名规则:
温度范围：
C=0℃至60℃（商业级）；I=-20℃至85℃（工业级）；E=-40℃至85℃（扩展工业级）；A=-40℃至82℃（航空级）；M=-55℃至125℃（军品级）
封装类型：
A—SSOP；B—CERQUAD；C-TO-200，TQFP﹔D—陶瓷铜顶；E—QSOP；F—陶瓷SOP；H—SBGAJ-陶瓷DIP；K—TO-3；L—LCC，M—MQFP；N——窄DIP﹔N—DIP;；Q—PLCC；R一窄陶瓷DIP （300mil）；S—TO-52，T—TO5，TO-99，TO-100﹔U—TSSOP，uMAX，SOT；W—宽体小外型(300mil)﹔ X—SC-60(3P，5P，6P)﹔ Y―窄体铜顶；Z—TO-92，MQUAD；D—裸片；/PR-增强型塑封﹔/W-晶圆。
管脚数:
A—8；B—10﹔C—12，192；D—14；E—16；F——22，256；G—4；H—4；I—28 ；J—2；K—5，68；L—40；M—6，48；N—18；O—42；P—20﹔Q—2，100﹔R—3，843；S——4，80；T—6，160；U—60；V—8(圆形)﹔ W—10(圆形)﹔X—36；Y—8(圆形)﹔Z—10(圆形)。
注:接口类产品四个字母后缀的第一个字母是E，则表示该器件具备抗静电功能
芯片封装技术的发展
最早的集成电路使用陶瓷扁平封装，这种封装很多年来因为可靠性和小尺寸继续被军方使用。商用电路封装很快转变到双列直插封装，开始是陶瓷，之后是塑料。20世纪80年代，VLSI电路的针脚超过了DIP封装的应用限制，最后导致插针网格数组和芯片载体的出现。
表面贴着封装在20世纪80年代初期出现，该年代后期开始流行。它使用更细的脚间距，引脚形状为海鸥翼型或J型。以Small-Outline Integrated Circuit（SOIC）为例，比相等的DIP面积少30-50%，厚度少70%。这种封装在两个长边有海鸥翼型引脚突出，引脚间距为0.05英寸。
Small-Outline Integrated Circuit（SOIC）和PLCC封装。20世纪90年代，尽管PGA封装依然经常用于高端微处理器。PQFP和thin small-outline package（TSOP）成为高引脚数设备的通常封装。Intel和AMD的高端微处理从PGA（PineGrid Array）封装转到了平面网格阵列封装（Land Grid Array，LGA）封装。
球栅数组封装封装从20世纪70年代开始出现，90年代开发了比其他封装有更多管脚数的覆晶球栅数组封装封装。在FCBGA封装中，晶片（die）被上下翻转（flipped）安装，通过与PCB相似的基层而不是线与封装上的焊球连接。FCBGA封装使得输入输出信号阵列（称为I/O区域）分布在整个芯片的表面，而不是限制于芯片的外围。如今的市场，封装也已经是独立出来的一环，封装的技术也会影响到产品的质量及良率。
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