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在半导体芯片领域，荷兰公司ASML才是真正的无冕之王，全球知名的半导体生产制造企业多数都是用的ASML的半导体设备生产先进工艺的半导体芯片。
ASML的DUV光刻机主要用在28nm以下制程芯片的生产制造，而EUV光刻机主要用在7nm以下制程芯片的生产制造。
知名企业台积电的营收中有75%以上来自28nm及以下工艺的芯片，而现在世界上最主流的半导体芯片需求还是28nm及以下工艺的，而要生产7nm以下制程的芯片，ASML的EUV光刻机又必不可少，所以ASML光刻机的地位不言而喻。
但是，近日也有美国学者表示，ASML正在走向末路。
首先，ASML受规则所限不能自由销售。
美国修改了半导体芯片的供货规则，还有《瓦尔森协议》的约束，ASML不能自由地销售自己的光刻机，特别是高端的EUV光刻机，就算卖给外企在中国的子公司也不被许可。
这给了其它半导体设备厂商可趁之机，市场上的猎手都嗅觉敏锐，纷纷加码光刻机的研发，想尽快抢到一块肥肉。
不仅是佳能、尼康等老牌光刻机设备公司要宣布联合研发，中国国内的各大科研机构、高校研究室以及企业也采取积极地行动联合攻坚。
俄乌争端引发的对俄全面制裁，也让俄罗斯开清了自己的发展方向，加大半导体芯片领域的投入，并准备弯道超车，跨过EUV光刻机，冲击X射线光刻机。
未来，在光刻机设备领域，肯定不再是一枝独秀，必然是百家争鸣。
其次，替代工艺技术发展迅速。
一直以来，大家都在极力推进更加先进工艺的芯片制造，因为芯片加工工艺的制程越小，其性能就越强大，所以导致ASML的先进EUV设备炙手可热。
但是，限于成本，EUV光刻机还是门槛太高，即使能买到，很多规模小一点的企业也用不起。所以，探索新的、成本更低廉的工艺技术更加的有意义。
佳能、铠侠等厂商联合推出了NIL工艺，在不使用EUV光刻机的情况下，可以将芯片制程缩小到5nm。
目前，NIL工艺已经用于生产制造15nm的非储存芯片上，2025年就能够用于生产制造5nm芯片，并计划在全球推广该技术。
另外，华为、英特尔、英伟达、苹果等公司也在积极探索芯片堆叠技术，通过将两颗或多颗芯片连接起来，在同等制程工艺的情况下实现芯片性能的翻倍，据说，华为和苹果已有此类芯片流片成功。
而台积电、AMD等厂商则在不断改进封装技术，维持芯片制程工艺不变的条件下，通过改进封装技术来实现40%以上的性能提升。
最后，下一代芯片技术已经在加速推进。
任何一种材料都有相应的极限，现在半导体芯片行业普遍使用的硅材料也不例外。1.8nm、2nm已经接近硅材极限的情况下，就算再进一步提升工艺制程，也难以有很大的性能提升了，反倒会大幅堆高成本。
华为创始人任正非很早就将注意力放在了光电芯片领域，说是下一代技术也不为过。华为在发光电芯片领域布局的很早，而且据悉还将在英国投入10亿研发。
近日，荷兰政府也宣称要用11亿欧元扶持光电芯片的研发，不想在下一代芯片上研发上落后。
德国的“PhoQuant”项目也聚焦在光电芯片的技术研发，由Q.ANT联合14家公司组建。
光电芯片可以摆脱ASML的光刻机设备，容量更高、传输更快，代表技术进步的未来。
怪不得，美国学者会有这样的言论：ASML正在走向末路。