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传统半导体芯片技术发展多年，如今已经进入瓶颈期。
一方面，2nm、3nm已经临近了硅材料的物理界限，再进一步的话，很容易出现量子隧穿导致的漏电效应和短沟道效应等问题。硅材料芯片的潜力几乎被挖掘殆尽。
另一方面，2nm、3nm也是目前芯片加工工艺的一个极限，从7nm、5nm向2nm、3nm过渡，不仅实现难度加大，成本也越堆越高。哪怕以后能造得出，估计也用不起。
因此，国内外的研究开始纷纷寻找新的方向，在原有的发展路径之外，探寻其他可行的方案。
碳基半导体、光量子芯片等被广大的研究人员寄予厚望。
根据IBM的研究，碳基半导体在跨过10nm的关口后将比硅芯片，在性能和功耗方面有很大的提升。碳基芯片拥有超薄导电通道、极高稳定性和高载流子迁移率，从而大幅降低芯片功耗。同样是从7nm提升到5nm，硅芯片的速度提升在20%左右，而碳基芯片则可以提升300%，功耗却能降低80%。
更重要的是碳基芯片的工艺将更加简洁，完全不需要光刻机，这将是一个崭新的赛道。
目前，我国也已经有碳基芯片晶圆被制造出，只是在大规模商用上还需要一定的时间。
光量子芯片领域，中国已经有先进技术问世，光量子芯片也成功制造完成。中国已经在光量子芯片、量子计算等研究领域积累了很多关键技术。
国防科技大学的新型可编程硅基光量子计算芯片；中国科大在光量子芯片领域实现量子干涉；中国交通大学采用“飞秒激光直写”技术做到了三维集成的效果，处于世界领先。
据悉，今年德国也正式宣布要布局光量子芯片领域，由Q.ANT牵头联合14家芯片公司建立了光量子芯片研究项目。
经过半个多世纪历史的发展，全球传统半导体芯片产业链已经构建了一套完整的模式，芯片设计、制造、封装等等每个环节都对应着复杂的工序。
现在，传统硅芯片的物理性能极限即将达到，芯片的物理加工工艺也逼近极限，芯片技术要想继续往前发展，必然要走一条全新的道路。碳基芯片和光量子芯片都给展现了无尽的可能，给了人们巨大的希望。
短时间内它们不会改变产业现状，但未来一定值得期待。
可笑的是，我国光量子先进技术问世后，老美居然又打着“技术共享”的旗号，希望我国能够共享光量子芯片领域的技术。
老美一方面采取各种措施，修改芯片供应规则，限制ASML光刻机的自有出货，迫使台积电不给华为代工麒麟芯片，一方面又想我们交出关键技术。
这明摆着是想要坐享其成，类似的事情老美应该是早就做习惯了。当我国在某些领域取得重大科研成果时，对方就会提出共享合作的要求。
而当我们有类似需求时，只是将我们拒之门外那还是好的，搞各种动作设置障碍才是老美的常规动作。
对此，有外媒称，脸都不要了。