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在半导体芯片领域，荷兰公司ASML才是真正的无冕之王，全球知名的半导体生产制造企业多数都是用的ASML的半导体设备生产先进工艺的半导体芯片。ASML研发制造的DUV光刻机和EUV光刻机几乎占领了中高端市场。
ASML的DUV光刻机主要用在28nm以下制程芯片的生产制造，而EUV光刻机主要用在7nm以下制程芯片的生产制造。
知名企业台积电的营收中有75%以上来自28nm及以下工艺的芯片，而现在世界上最主流的半导体芯片需求还是28nm及以下工艺的，而要生产7nm以下制程的芯片，ASML的EUV光刻机又必不可少，所以ASML光刻机的地位不言而喻。
但是，近期却有越来越多的迹象表明，老美修改芯片供货规则，不仅是限制了中国公司，也同时是绑架了ASML，ASML走向末路已经不可避免。
无芯可用，就逼着大家走出一条新的道路，而且还不止一条，目前看，已经有如下4个途径越来越清晰。
一、光电芯片。
任老曾说过，在传统的硅芯片技术上已经很难绕开老美的技术了，只有找一个新的领域突破才能够完全绕开老美，光电芯片就是这样一个目标。
光电芯片不仅运行更快，更适合万物联网，而且还可以用不那么先进的制造工艺来实现制造。
华为计划投资10亿加码研发光电芯片，剑桥附近的光电芯片研发中心也将筹备建设等。除了华为之外，还有很多国家和地区的企业都在发展光电芯片。
在欧洲，德国号召了国内的领先企业组建联合研发机构，针对光电芯片进行研究，而且政府也提供了巨额的扶持政策；ASML所在的荷兰，也不想把鸡蛋都压在ASML身上，或许不排除进一步摆脱老美控制的想法，也加紧研发光电芯片，已计划投资11亿欧元。
二、俄转投先进的X射线光刻机。
俄乌冲突后，俄受到的制裁越发严重，不仅面对欧美政府的压力，而且企业界如英特尔、高通、ASML、苹果等也都先后宣布断供俄市场，俄开展了9000亿的自救计划，而且还有3万亿的专项资金扶持发展半导体芯片产业。
俄计划年内量产90nm制程的芯片，28nm则要在2030年前实现量产；在EUV受制于人的情况下，俄转身投向研发先进的X射线光刻机。
相比现有的EUV光刻机，虽然在生产批量上受到一定的限制，但是X射线光刻机采用了更为先进的X射线作为光源，其下限更大，生产精度和成本更有优势。
三、NIL工艺路线。
最近，佳能、铠侠等厂商传出消息，其联合研发的NIL工艺有了新的进展。目前，NIL工艺已经可以用于生产15nm的储存芯片的量产。
佳能等企业还联合宣布，将计划把NIL工艺用于生产非储存芯片，最快在2025年就能够量产5nm制程的芯片，并计划在全球范围内推广该技术。
相比EUV工艺而言，NIL工艺不需要EUV光刻机，不仅能够降低90%的设备费用，还能够节约大量的能源费用。
可以说，NIL工艺的出现，让生产制造7nm、5nm等芯片多了另一种选择，不用再依赖EUV光刻机。
四、芯片堆叠技术
堆叠技术芯片并不陌生，因为英特尔、英伟达等早前也推出过类似的芯片，但是由于封装技术不成熟，没有进行大面积的使用。苹果公司的M1 Ultra芯片，采用ARM架构，利用堆叠芯片技术实现了1+1=2的效果，直接媲美英特尔的最高端芯片。大家又开始重视起了芯片堆叠技术。
华为之前也宣称，将采用多核架构的芯片，用堆叠、面积换性能，并在前不久又发布了多项与堆叠芯片有关的专利，主要涉及制造以及成本控制等。
通过先进的封装技术，利用芯片堆叠，可以实现用成熟的制程工艺来达到先进制程工艺的效果，举个例子，也就是说可以用14nm的制程工艺制造出媲美现在5nm工艺的芯片。从而大幅提升芯片性能的同时，降低芯片制造的成本。
以上这4点解释，是我看过最靠谱的。