芯片一直是制约我国科技发展的一个重点领域，尤其是高端芯片，中国严重依赖国外进口。按照海关数据，2021年，中国进口芯片4400亿美元左右，占中国所有进口商品的28.6%，创下新的记录！中国人有一个共同的愿望，那就是国产芯片的崛起，尽快实现芯片的自给自足，减少对进口的依赖。另外，最近因为俄乌局势，美国等西方国家对俄罗斯的科技制裁中，很重要的一项就是禁止出口芯片到俄罗斯，使俄罗斯的科技领域遭受重创。
要实现芯片的自给自足，先进的半导体设备就是关键中的关键。
要生产7nm以下工艺的芯片，EUV光刻机不可缺少！主要的芯片生产商都在争相抢购ASML的先进制程光刻机，基本都是预付款，EUV光刻机的产能早早就被intel、三星、台积电等大厂商订购一空。国内厂商中芯国际，也早早加入订购的大军，苦苦等待着排队交货。
但是，由于ASML生产的EUV光刻机受到很多约束，比如涉及到大量的美国专利，不能自由出货，导致ASML想卖不能卖，很多需求方想买又买不到的局面。
再者，美国不断地修改规则，强加条款限制，ASML光刻机交不了货的情况愈演愈烈，不断堆高了芯片生产成本。
面对这样的处境，各厂家纷纷寻求新的路径，来实现先进制程的芯片制造。ASML的EUV光刻机面临着被抛弃的危险。
1.NIL工艺寻替代
日本厂商佳能、铠侠加紧研究开发NIL工艺，致力于不用EUV光刻机的条件下，实现生产5nm以下先进工艺制程的芯片。
而且，依据铠侠佳能透露的信息，NIL工艺的设备成本更低，只有EUV光刻机成本的10%左右，能耗也更低，可以节约大量的电力，预计能在2025年实现5nm工艺芯片的量产。
2.封装工艺寻突破
目前，世界先进的半导体企业也都在积极研发更加先进的芯片封装工艺，例如苹果研发出的M1 Ultra芯片，将两颗M1 Max芯片封装到了一起，在制程不变的条件下，达到性能翻倍的效果；而AMD的3D封装工艺，也实现了同等制程条件下提升性能15%以上的效果。
国内，华为则采取芯片堆叠技术，通过堆叠，增加面积来提升性能，来解决自己高端芯片缺货的问题。
3.自主研发光刻机
中国企业和俄罗斯被制裁的先例，也给世界上的其他国家提了醒，只有自己掌握了关键技术，才能不被人卡脖子。所以，现在很多国家和企业都纷纷加入自研先进制程光刻机的行列。
国外，日本佳能等老牌光刻机厂商为了打破ASML在光刻机领域的垄断，也是准备联合开发新的技术；俄罗斯的研究所也正式宣布要研发更加先进的X射线光刻机。
国内，华为不仅早早的进入芯片设计领域，而且也要实现制造领域的突破。国家也出了很多政策，全面支持国内半导体行业的发展。
基于，上述3个方面的迹象，有外媒称，ASML的EUV光刻机正在被抛弃。
虽然，可能还需要一点时间，但是历史经验告诉我们，无视自由市场规律的通通都要被打破！
今天你不让我用，明天你求我都不用！