中国每年进口芯片3000亿美元，其中存储芯片就占去了800亿美元。
据2021年7月民生证券的统计数据，中国是全球第二大NAND flash存储芯片市场，中国市场需求的存储芯片，占全球整个存储芯片份额的35%左右。
但是，中国需求的存储芯片大多还是要依赖进口，三星、铠侠、西数、SK海力士、镁光、Intel等企业基本掌控了整个市场，存储芯片的国产供应率还比较低。
不过好消息是，经过多年的努力，2021年中国国产闪存的全球市占率已经达到了3.4%。行业专家预计，到2022年年底国产闪存芯片占有的市场份额有望再增一倍至7%，进而国内闪存芯片企业有望赶超英特尔。
拿下这7%份额的就是国内存储芯片企业长江存储。在国产存储芯片行业中，长江存储则是国产NAND闪存领域的第一名。
2016年，在武汉，长江存储总部落成，专注于NAND闪存；2017年推出了中国首款3D NAND flash 闪存芯片；2019年第二代量产、2020年第三代发布。
目前已掌握128层堆叠技术，2021年更是推出了UFS3.1通用闪存，标志着长江存储达到了世界领先水平。
而且，前段时间，长江存储也已经通过了苹果的产品认证，进入到果链供应商的行业，虽然，咱们不能光靠着果链吃饭，但是能否获得苹果的认可也是对长江存储技术实力一个很好的例证。
国产NAND flash存储芯片的发展，也极大地促进了NAND flash存储芯片价格的下降，打破了国际大企业的价格垄断，给国内相关产业和消费者带来了切实的实惠。例如120G的固态硬盘，两年前还要200多，现在也就50多块了。
据行业统计数据，三星、铠侠、西数、SK海力士、镁光、Intel依次占据了2021年1季度全球NANDFlash存储芯片市场份额的前六名，英特尔以7.5%排在第六。
如今，根据长江存储所公布的信息显示，长江存储目前已经占到了7%以上的全球NAND闪存市场份额，未来还将不断地扩充NAND闪存的产能。所以，行业专家预计，到2022年底长江存储有望赶超英特尔。
7%肯定不是长江存储的终点，长江存储正在不断地加大投资扩大产能，短期的一个小目标是先达到全球30%的产能，成为名副其实的全球领先的存储芯片企业。
6月14日，又有好消息传来，长江存储越级跳过192层3D NAND闪存，直接挑战232层3D NAND闪存于2022年底量产，这一消息引起了业界的高度关注。
长江存储在2018年量产32层NAND闪存，2019 年量产64层NAND闪存，2021年量产128层NAND闪存后，遇到了一个技术难题：28层NAND闪存的良率提升缓慢。
从近日市场传出的消息来看，长江存储下一个目标直接锁定232层NAND闪存，说明长江存储已经稳定了128层的量产，现在将赶超美光量产232层3D NAND的进度，随后，长江存储将陆续提交232层TLC NAND闪存样品至客户处进行相应的检验和认证。
长江存储的232层3D NAND闪存将以1Tb单芯片作为第一批量产的规格，直接瞄准高端应用市场，包括数据中心及企业级存储等。
随着长江存储新一代232层NAND闪存在供货中的占比逐步提升，预估2023年长江存储的市占率甚至有望达到20%左右。
作为对比，铠侠已经多年停留于112层NAND闪存，预计2022年底前量产162层3D NAND闪存。美光已经正式发发布了业界首个232层3D NAND闪存芯片，预计在2022年底前量产。三星也将在今年底推出224层的NAND芯片，海力士则还是加速研发中。
长江存储采用的Xtacking技术，在三年前还不被业界看好，而今天则已经是超越三星、海力士、美光的技术，向后看三年，Xtacking可能就是最好的3D NAND技术。
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