众所周知，自从华为被打压以后，就让我们意识到了半导体芯片的重要性；作为现代科技领域发展的核心，可以说半导体芯片对于整个科技产业的发展来说都是非常重要的，而我国在芯片领域的发展又一直都比较落后，所以我们始终也没能生产出高性能的芯片来，这些年来国产科技企业生产所需的芯片也几乎都是依赖于从美国进口而来，这就造成国产科技企业的发展很容易被人卡脖子！
美国作为全球半导体集成电路芯片的发源地，这让美国在半导体芯片领域也拥有着极高的话语权，这些年来，在美国还诞生了不少的芯片巨头企业，像高通和英特尔都是来自于美国，正因为如此，所以在华为被打压以后，在全球范围内就没有企业敢给华为提供芯片了，不过这也倒逼着国产科技企业开始在半导体芯片领域进行创新和研发！
最近这两年，除了华为以外，国内不少科技巨头企业都开始进入到半导体芯片领域发展，为了能尽快地实现芯片的自给自足，我们甚至还提出了到2025年要实现芯片自给率70%的目标，就在中国积极推动半导体自给自足之际，我国科技巨头企业长江存储也传来了好消息，在烧光1550亿之后，长江存储也终于开始试产第一批192层3D NAND闪存芯片了，这也让国产芯片的“反击”正式开始！
据悉，长江存储是我国最大的一家闪存芯片制造商，此前在闪存芯片领域里，几乎所有的市场份额都被三星和美光这两个巨头企业所垄断，但是现在长江存储的崛起，也将打破这两大国外芯片巨头的垄断；目前三星和美光这两大NAND型快闪存储器巨头所能生产的最先进存储芯片都是128层3D NAND；而三星的下一代研发技术也仅仅只是172层3D NAND，但没想到我国的长江存储却已经开始在试产192层3D NAND闪存芯片，这足足要领先对手一代产品！
虽然说芯片的研发是一个很缓慢的过程，但是长江存储却一直都在闪存芯片领域进行着研发和布局，为了能尽快研发出先进的芯片来，长江存储这些年来也耗费了不少的研发经费，并耗资240亿美元（约1550亿人民币）在武汉建立了自己的工厂，但好在现在长江存储终于取得了突破，这也就意味着国产芯片的“反击”将正式开始！
综合来看，长江存储这次突破192层 3D NAND技术对整个中国半导体芯片的自主化研发有着极其重要的意义。未来随着华为、中科院解决了光刻机等卡脖子的技术以后，我们也必将在半导体芯片领域快速崛起，很快我们就能实现芯片的自给自足，到时候高通等国外的芯片也将变得不值钱起来，不知道对此你是怎么看的呢？欢迎留言发表你的看法！
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