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近日，台媒联合报报道，台积电决定将其3nm的研发团队转战到1.4nm的研发，并且计划在7月份立即进行研发行动，开启TV0第一阶段的开发。
那么，在3nm还没有稳定量产的情况下，台积电为什么这么急于进军1.4nm呢？
大家都知道，英特尔在2011年基于FinFET晶体管发布了22nm工艺，此后三星、台积、格芯和中芯国际等公司借助这个创新的晶体管设计，将芯片制造工艺推进到了3nm。
3nm以前可以通过微调工艺来实现下一代节点，但3nm以后每一代工艺的进步都必须在晶体管架构、材料、工艺和工具方面找到新的方法。FinFET已经不能胜任3nm以下的任务，GAA晶体管将成为FinFET的继任者。
无论是三星还是英特尔，他们其实都已经为GAA做好了充分准备，迎接下一个节点的到来。
首先，三星已经领先一步，对台积电的蛋糕虎视眈眈
英特尔、台积电等公司的3nm工艺还是使用的FinFET晶体管，而三星则先行一步，在自家的3nm工艺中率先使用了MBCFET（multi-bridge channel FET）制造工艺。这是三星为了克服GAA晶体管存在的问题，独创的专有技术，相当于是GAA的优化版，并且已经申请了专利。
其次，英特尔也准备杀出抢单
英特尔早前曾正式宣布，英特尔将在今年下半年完成intel 18A的芯片设计，这款芯片相当于1.8nm的工艺。并且这款intel 18A芯片原来定于在2025年投入量产，但是现在有很大的可能会提前到2024年量产。这必将增加台积电的担忧。
另外，英特尔也研发了GAA晶体管型的RibbonFET旗舰，这种旗舰的沟道线的形状像带状，栅极完全围绕通道。这种设计可以极大提高晶体管的静电特性，并且可以减小同代技术节点的晶体管的尺寸。
而且，英特尔还开发了一种新的电源路由技术，称为PowerVia。PowerVia能将晶体管的电源连接移动到芯片的底部。换言之，PowerVia的引入相当于PCB从单面层转移到双面层。让电源线和信号线可以分开，使两层都更加高效。
英特尔把Intel 18A看作超越台积电的关键技术。
然后，美日宣布联合研发2nm，“排挤”台积电
前几天，日经新闻正式报道了，美又跟日本搞在一起，计划更紧密地合作建立芯片供应链，日本经济产业大臣萩生田光一访美期间宣布了双方芯片合作事宜。美国和日本将加强在2nm芯片上的合作。为的就是抵御来自台湾和其他地区的同类厂商的竞争。
考虑到日本在设备制造上的技术领先，老美造成的目前芯片制造本地化的趋势，还有英特尔等公司过去在先进工艺上的辉煌历史，台积电不能不着急。
目前，台积电已经确定了，加速3nm的量产稳定工作，预计8月份启动3nm的量产工作。3nm的竞赛虽然未结束，但是结果已经基本确定了：台积电在3nm的高地基本可以笑傲群雄了；
然而3nm以下的技术节点，却还有很大的不确定性，新的一轮芯片制程大赛即将开启，谁能抢跑 谁将获得更大的优势。
以上的种种，都让在芯片制造先进工艺方面一直领先的台积电急了。
加速进军1.4nm，对台积电来说，已经迫在眉睫！